5月2日，《Semiconductor Today》以News Features的形式报道了我校关于近紫外同质集成光电子芯片的创新工作。

　　我校王永进教授和2014年诺贝尔物理学奖得主天野浩教授合作，基于硅衬底氮化物晶圆，首次获得了直径0.8mm的可转移近紫外同质集成光电子芯片，进一步验证了量子阱二极管发光和探测共存的物理现象。该研究成果于2018年4月13日发表（Appl. Phys. Express 11 051201），第一作者为硕士研究生秦川，迄今下载已超过100次。王永进教授发现了量子阱二极管发光和探测共存的物理现象，并在此基础上研发出全双工可见光通信芯片。

　　近两年来，《Semiconductor Today》已经6次专题报道王永进教授课题组的同质集成光电子芯片工作，确立了我国在该领域的国际领先地位。

近紫外同质集成光电子芯片的制备示意图